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Modeling and Simulation of a Chemical Vapor DepositionModelado y simulación de una deposición química en fase vapor.

Resumen

Estamos motivados para modelar procesos de PE-CVD (deposición química en fase vapor asistida por plasma) para placas bipolares metálicas, y su optimización para depositar una capa heterogénea en la placa metálica. Además, una restricción del proceso de deposición es una presión muy baja (casi un vacío) y una baja temperatura (alrededor de 400K). La contribución de este artículo es derivar un sistema multifísico de múltiples problemas físicos que incluye algunas suposiciones para simplificar el proceso complicado y permite derivar un modelo matemático computable sin descuidar los procesos de la vida real. Para modelar el transporte gaseoso en el aparato empleamos flujos móviles de fase gaseosa, fases inmóviles y móviles en una cámara que está llena de un medio poroso (capas de plasma). Se discuten métodos numéricos para resolver tales modelos multiescala y multifásicos y obtener resultados cualitativos para los delicados procesos multifísicos en la cámara. Se discute un anál

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