Resumen

Se investiga en detalle el efecto del Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) con banda prohibida en forma de V sobre el rendimiento del dispositivo. Se establece una serie de relaciones Ga/(In Ga) para estudiar la influencia del perfil de banda prohibida en forma de V en la electricidad de las células solares de película fina de CIGS. El modelado de la curva de densidad de corriente-tensión (J-V) del dispositivo y el perfil de gradación del bandgap se corresponden bien con los resultados de las mediciones. Los resultados detallados de las características y el modelado muestran que un aumento del gradiente del bandgap desde el valle hasta la capa tampón de CdS dará lugar a una barrera y provocará un aumento de la recombinación en el valle. Este fenómeno puede modificarse mediante el campo eléctrico posterior resultante de un gradiente de bandgap desde el valle (mínimo de bandgap) hasta el contacto posterior de Mo. Estos resultados indican que las células solares basadas en CIGS pueden alcanzar un mayor rendimiento optimizando el perfil de bandgap en forma de V.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:perfil de bandgap con forma, cigs, valle, células solares, campo eléctrico posterior, perfil de gradación de bandgap, capa tampón cds, resultados, contacto posterior, bandgap mínimo
• Keywords:shaped bandgap profile, cigs, valley, solar cells, back electric field, bandgap grading profile, buffer layer cds, results, back contact, bandgap minimum