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Artículo

Numerical Modeling Chemical Vapor Infiltration of SiC CompositesModelización numérica de la infiltración de vapor químico en compuestos de SiC

Resumen

En este estudio se desarrolla el modelo de campo multifásico para la infiltración química de vapor (CVI) de materiales compuestos de SiC/SiC, con el fin de reproducir la evolución de la microestructura durante el proceso de CVI y lograr una mejor comprensión del efecto de los parámetros del proceso (por ejemplo, temperatura, presión, etc.) en el producto final. Para incorporar la termodinámica de la pirólisis del metiltriclorosilano (MTS) en el marco del modelo de campo de fases, se adopta el mecanismo de reacción química reducida. El modelo consiste en un conjunto de ecuaciones diferenciales parciales no lineales mediante el acoplamiento de ecuaciones de campo de fase de tipo Ginzburg-Landau con ecuaciones de balance de masa (por ejemplo, ecuación de convección-difusión) y las ecuaciones de Navier-Stokes modificadas que tienen en cuenta el movimiento del fluido. Se simula la microestructura de la codeposición preferente de Si, SiC bajo una elevada relación de H2 a MTS y se predice el riesgo potencial de obstrucción de los poros prematuros durante el proceso isotérmico CVI. Se discute el mecanismo de crecimiento competitivo de los granos de SiC y se reproduce el proceso de formación del potencial bloqueo de poros prematuros.

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