Resumen

El modelo analítico de variación aleatoria en la corriente de drenaje del FET MOS de Puerta Flotante (FGMOSFET) ha sido propuesto en esta investigación. El modelo está compuesto por dos partes para la región de triodo y saturación de operación, donde se han tenido en cuenta las variaciones aleatorias a nivel de dispositivo inducidas por el proceso de cada región y sus correlaciones estadísticas. También se ha considerado la no linealidad del voltaje de la puerta flotante y la dependencia del voltaje de drenaje de los factores de acoplamiento del FGMOSFET. Se ha encontrado que el modelo es muy preciso, ya que puede ajustarse con precisión a la referencia basada en SPICE BSIM3v3 obtenida mediante la simulación SPICE de Monte Carlo y la técnica de simulación FGMOSFET con SPICE. Puede ajustarse a la referencia basada en BSIM4 si se desea mediante la extracción óptima de parámetros. Al utilizar el modelo propuesto, se puede realizar el análisis de variabilidad del FGMOSFET y

• Materias:Dispositivo SOI Método de control Puerta dieléctrica Picosegundos Corriente de drenaje
• Subjects:SOI device Control method Dielectric gate Picoseconds Drain current
• Palabras claves:Transistor MOSFET de compuerta flotante; Modelo; Análisis de variabilidad; Corriente de drenaje; Parámetro a nivel de circuito; Modelo analítico
• Keywords:Floating gate mosfet; Model; Variability analysis; Drain current; Circuit level parameter; Analytical model