Resumen

Se presenta un modelo analítico del potencial superficial de los transistores asimétricos de doble puerta de grafeno bicapa (BLG) basado en la ecuación bidimensional de Poisson. Para verificar la precisión del modelo de potencial, se comparan los datos de modelado con los datos de simulación del programa FlexPDE y se observa una buena concordancia. A partir de la expresión del potencial superficial, se investiga el comportamiento del dispositivo en la región de saturación de velocidad. Como resultado, se formulan el campo eléctrico lateral y la longitud de la región de saturación de velocidad (Ld) y se examina cuidadosamente su dependencia de varios parámetros del dispositivo.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:región de saturación de velocidad, grafeno bicapa de doble puerta asimétrica, campo eléctrico lateral, varios parámetros del dispositivo, programa flexpde, modelo analítico, comportamiento del dispositivo, poisson dimensional, buena concordancia, datos del modelo
• Keywords:velocity saturation region, asymmetric double gate bilayer graphene, lateral electric field, several device parameters, flexpde program, analytical model, device behaviour, dimensional poisson, good agreement, modelling data