Resumen

En este trabajo presentamos una simulación de deposición química de vapor con placas bipolares metálicas. En la deposición química de vapor, es importante una delicada optimización entre temperatura, presión y potencia del plasma para obtener una deposición homogénea. El objetivo es reducir el número de experimentos reales en un reactor de plasma CVD dado. Basado en el gran espacio de parámetros físicos, hay un gran número de experimentos posibles. Un estudio detallado de los experimentos físicos en un reactor de plasma CVD permite reducir el problema a un modelo matemático aproximado, que es el modelo de transporte-reacción subyacente. Las regiones significativas del aparato CVD se aproximan y los parámetros físicos se transfieren a los parámetros matemáticos. Esta aproximación reduce el espacio de parámetros matemáticos a un número realista de experimentos numéricos. Los resultados numéricos se discuten con experimentos físicos para obtener un modelo válido para el crecimiento supuesto y poder reducir los costosos experimentos físicos.

• Materias:Análisis Matemático Álgebra Ingeniería Matemática aplicada Lógica matemática
• Subjects:Mathematical Analysis Algebra Engineering Applied Mathematics Mathematical logic
• Palabras claves:reactor de plasma cvd, deposición química de vapor, experimentos físicos, gran espacio de parámetros físicos, modelo matemático aproximado, experimentos físicos costosos, espacio de parámetros matemáticos, placas bipolares metálicas, aparato cvd, regiones significativas
• Keywords:cvd plasma reactor, chemical vapor deposition, physical experiments, large physical parameter space, approximate mathematical model, expensive physical experiments, mathematical parameter space, metallic bipolar plates, cvd apparatus, significant regions