Se han realizado muchas mediciones experimentales de la conductancia de los GNR. En este artículo se presenta un modelo analítico de la conductancia de los GNR. Además, se estudia la comparación con datos publicados que ilustran una buena concordancia entre ellos. Se mejora la conductancia del GNR como un canal de dispositivo unidimensional con estructuras de banda parabólicas cerca del punto de neutralidad de carga. Basándose en el efecto de confinamiento cuántico, se calcula la conductancia del GNR en la parte parabólica de la estructura de bandas, así como la conductancia dependiente de la temperatura que muestra una conductancia mínima cerca del punto de neutralidad de la carga. El nanorbono de grafeno (GNR) con estructura de banda parabólica cerca de la energía de banda mínima pone fin al método de base integral de Fermi-Dirac en el estudio de la estructura de banda. Mientras que la estructura de banda es parabólica, la conductancia de los GNR semiconductores es una función de la integral de Fermi-Dirac que se basa en la aproximación de Maxwell en el límite no degenerado, especialmente para un canal largo.
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