En este trabajo se propone un modelo de evolución temporal post-estrés para películas de SiO2 de menos de 10 nm de espesor para la predicción de la degradación y la extracción de parámetros relacionados con la trampa. El modelo se basa en el entendimiento de que la degradación en las películas delgadas de SiO2 continúa dentro del intervalo no estresado. El fenómeno se capta mediante una expresión analítica que indica que la evolución temporal de la degradación de la película de SiO2 consta aproximadamente de dos etapas y que la degradación es más probable que ocurra si hay moléculas de agua presentes. Se demuestra que el sencillo modelo analítico reproduce con éxito los resultados medidos. También se sugiere que el proceso de degradación considerado aquí está relacionado con la difusión de oxígeno en el proceso de transición resistiva.
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