Resumen

Se desarrolló un modelo físico basado en la física cuasi-bidimensional de un transistor HEMT sin utilizar ninguna función de suavizado para unir las regiones lineal y de saturación de las características corriente-voltaje (I-V). Considerando las transiciones inter-valle de electrones y la presencia de huecos en el canal del transistor, calculamos las distribuciones espaciales no uniformes del campo eléctrico, temperatura de electrones y movilidad de electrones dentro del canal. El modelo concuerda bien con los datos experimentales en las regiones lineal y de saturación de operación. El modelo proporciona una simulación precisa de los transistores HEMT y puede utilizarse como una herramienta para el análisis y la predicción de la influencia de los parámetros del material en las características del dispositivo y del circuito.

• Materias:Circuitos Transistores Estructuras de blindaje Robustez Supercondensador
• Subjects:Circuits Transistors Shielding structures Robustness Supercapacitor
• Palabras claves:Modelo; Transistor HEMT; Características corriente-voltaje; Distribuciones espaciales; Movilidad electrónica; Parámetros del material
• Keywords:Model; HEMT transistor; Current-voltage characteristics; Spatial distributions; Electron mobility; Material parameters