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Preparamos un diodo Schottky basado en óxido de zinc (ZnO) construido a partir de un electrodo de contacto óhmico de ZnO con óxido de indio y estaño (ITO) y un metal Schottky de Ni/Au. Tras optimizar las propiedades del contacto óhmico y eliminar los daños causados por el bombardeo iónico mediante una solución de grabado de HCl diluido, se emplean soluciones diluidas de peróxido de hidrógeno (H2O2) y sulfuro de amonio (NH4)2Sx, respectivamente, para modificar la superficie de la capa de ZnO sin dopar. Las dos alturas de la barrera Schottky con la superficie de la capa de ZnO tratada con estas dos soluciones, evaluadas a partir de las medidas de corriente-voltaje (I-V) y capacitancia-voltaje (C-V), mejoran notablemente en comparación con el diodo Schottky de ZnO sin tratar. Mediante la espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS) y la fotoluminiscencia a temperatura ambiente (RTPL), el efecto de compensación como evidencia del aumento de los defectos aceptores O-H y OZn que aparecen en la superficie de la capa de ZnO tras el tratamiento con la solución diluida de H2O2 es el responsable de la mejora del diodo Schottky basado en ZnO. Por el contrario, la mejora en la altura de la barrera Schottky para la superficie de la capa de ZnO tratada mediante el uso de solución diluida de (NH4)2Sx se atribuye tanto a los efectos de pasivación como de compensación originados por la formación del enlace químico Zn-S y los aceptores VZn.
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
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