Resumen

La fotorreflexión se utiliza para la caracterización de muestras semiconductoras, normalmente mediante el barrido del haz de sonda monocromatizado dentro del intervalo de energía comprendido entre el valor más alto establecido por el haz de bombeo y el umbral de absorción más bajo de la muestra. Sin embargo, no existe un límite superior fundamental para el haz de la sonda, aparte del contenido espectral limitado de la fuente y la capacidad de respuesta del detector. En la medida en que el mecanismo de modulación que subyace a la fotorreflexión afecte a la estructura electrónica completa del material estudiado, el barrido del haz de la sonda hacia energías superiores a la de la fuente de bombeo es igualmente eficaz para sondear puntos críticos de alta energía. Este hecho, hasta ahora ignorado en gran medida, se demuestra experimentalmente en este trabajo. Los puntos críticos E1 y E0 Δ0 del GaAs a granel se resuelven sin ambigüedad utilizando luz de bombeo de menor energía. Este tipo de modulación ascendente puede ampliar las aplicaciones de la técnica.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Photoelectric effect
• Palabras claves:puntos críticos, haz de sonda, estructura electrónica completa, límite superior fundamental, contenido espectral limitado, umbral de absorción más bajo, haz de sonda monocromatizado, gas a granel, rango de energía, otras aplicaciones
• Keywords:critical points, probe beam, complete electronic structure, fundamental upper limit, limited spectral content, lowest absorption threshold, monochromatized probe beam, bulk gaas, energy range, further applications