Resumen

Se cultivó grafeno monocapa sobre cobre a una temperatura baja de 600°C mediante deposición química térmica de vapor asistida por plasma. Su mecanismo de crecimiento se discutió con referencia a los espectros de emisión del plasma. El plasma de metano produce las especies activas (Hx, CHx y Cx) sin la adición de hidrógeno fluyente, y las cantidades de especies que contienen hidrógeno pueden controlarse variando la potencia del plasma. Se encontró la distancia efectiva entre la etapa inicial del plasma y la etapa de deposición para la síntesis de grafeno de una sola capa. Los resultados revelan que se puede sintetizar grafeno de alta calidad utilizando plasma de metano a una potencia de plasma adecuada.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:plasma, plasma de metano, deposición química térmica de vapor, síntesis de grafeno en capas, potencia de plasma adecuada, hidrógeno, especies activas, etapa de deposición, distancia efectiva, espectros de emisión
• Keywords:plasma, methane plasma, thermal chemical vapor deposition, layer graphene synthesis, suitable plasma power, hydrogen, active species, deposition stage, effective distance, emission spectra