Resumen

Los dispositivos InGa 1 - x A s se han investigado ampliamente para aplicaciones de alta frecuencia y baja potencia debido a la extraordinaria movilidad de los electrones y al pequeño bandgap de los materiales. La tecnología de fuente/drenaje regenerado es muy apreciada en los MOSFET de InGaAs, ya que permite reducir el balance térmico inducido por la implantación iónica, así como la resistencia fuente/drenaje. Sin embargo, esta tecnología presenta problemas como la alta capacitancia parásita y el elevado campo eléctrico en el borde de la puerta hacia el lado del drenaje, que provocan una gran corriente de fuga de drenaje y comprometen el rendimiento en frecuencia. Para aliviar el problema de la corriente de fuga de drenaje en aplicaciones de baja potencia y mejorar el rendimiento a alta frecuencia, se introdujo una nueva estructura de pared lateral de Si3N4 en el MOSFET de InGaAs. Se realizó una simulación del dispositivo con diferentes diseños de paredes laterales recientemente propuestos. Los resultados mostraron que tanto la corriente de fuga de drenaje como la capacitancia parásita fuente/drenaje se reducían aplicando la pared lateral de Si3N4 junto con la capa extendida de InP en el MOSFET de InGaAs. Los resultados de la simulación también sugirieron que la pared lateral "empotrada" de nueva creación era capaz de aportar la característica más favorable a la frecuencia sin sacrificar la corriente.

• Materias:Biotecnología Redes de sensores Sistema de sensores Diagnóstico de fallas Tecnología de sensores Diagnóstico de fallos
• Subjects:Biotechnology Sensor networks Sensor system Fault diagnosis Sensor technology
• Palabras claves:tecnología de drenaje, gran corriente de fuga de drenaje, novedosa estructura de pared lateral si3n4, corriente de fuga de drenaje, característica favorable a la frecuencia, alto campo eléctrico, aplicaciones de alta frecuencia, rendimiento de alta frecuencia, alta capacitancia parásita, aplicaciones de baja potencia
• Keywords:drain technology, large drain leakage current, novel si3n4 sidewall structure, drain leakage current, frequency favorable characteristic, high electric field, high frequency applications, high frequency performance, high parasitic capacitance, low power applications