Resumen

Se sintetizan nanoestructuras unidimensionales policristalinas de Ta2O5 mediante el recocido de los nanohilos de SiO2 a 950°C en un ambiente reductor de vapor de Ta. Se discute e ilustra en detalle el mecanismo de formación de las nanoestructuras de Ta2O5. Se investigó la nucleación y el crecimiento de los granos de los cristales de Ta2O5 durante la formación de las estructuras con núcleo de SiO2/Ta2O5. Se sugiere que el crecimiento controlado por difusión es el paso que determina la velocidad de difusión de los átomos de Ta a través de la capa de ceniza para reaccionar con los átomos de O y sustituir a los átomos de Si.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:ambiente de vapor de ta reductor, átomos de si sustitutos, difusión, nanoestructuras, átomos de o, átomos de ta, capa de ceniza, policristalino dimensional, mecanismo de formación, crecimiento de grano
• Keywords:reductive ta vapor ambiance, substitute si atoms, diffusion, nanostructures, o atoms, ta atoms, ash layer, dimensional polycrystalline, formation mechanism, grain growth