Resumen

Las propiedades de los nanocristales de silicio (NC de Si), cuyo tamaño suele ser de unos pocos nanómetros, pueden ajustarse exquisitamente mediante el dopaje con boro (B) y fósforo (P). Los últimos avances en la simulación de NCs de Si dopados con B y P han permitido explicar mejor los cambios inducidos por el dopaje con B y P en las propiedades ópticas de los NCs de Si. Esto se debe principalmente a la investigación exhaustiva de las localizaciones del B y el P en las NC de Si y a las propiedades electrónicas de las NC de Si dopadas con B y P. A continuación se comentan las implicaciones de los nuevos conocimientos sobre las CN de Si dopadas con B y P. Se prevé una investigación continua para avanzar en la comprensión del dopaje de las NC de Si con B y P.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:si ncs, dopaje, si ncs dopados, investigación continua, avances recientes, investigación exhaustiva, propiedades electrónicas, pocos nanómetros, propiedades ópticas, nanocristales de silicio
• Keywords:si ncs, doping, doped si ncs, continuous research, recent progress, comprehensive investigation, electronic properties, few nanometers, optical properties, silicon nanocrystals