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Chromium-Induced Nanocrystallization of a-Si Thin Films into the Wurtzite StructureNanocristalización inducida por cromo de láminas delgadas de a-Si en la estructura wurtzita

Resumen

Se describe la nanocristalización inducida por cromo metálico de películas delgadas de silicio amorfo (a-Si). La difracción de rayos X y la espectroscopia Raman confirman la naturaleza nanocristalina de estas películas. La deconvolución de los espectros Raman revela que las láminas delgadas cristalizaron en una fase mixta de diamante cúbico y wurzita, como lo demuestran las líneas a 512 y 496 cm-1, respectivamente. El tamaño de los cristalitos oscilaba entre 4 y 8 nm. Las propiedades ópticas del silicio cristalizado, derivadas de las curvas de transmitancia espectral, revelaron una alta transmisión en la región por encima de la banda de separación. La brecha de banda óptica varió entre 1,3 y 2,0 eV dependiendo de la naturaleza de la cristalinidad de estas películas y permaneció inalterada con el aumento de la adición de Cr del 5 al 30%. Esto significa que la estructura electrónica de las películas de silicio nanocristalino no se ve afectada considerablemente a pesar de la presencia de siliciuros metálicos y del proceso de cristalización.

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