Resumen

El método VLS (vapor-líquido-sólido) es una de las técnicas más prometedoras para el crecimiento vertical de nanocables semiconductores compuestos III-V sobre Si para su aplicación en circuitos optoelectrónicos. Las heteroestructuras cultivadas en dirección axial por el método VLS y en dirección radial por el método general de crecimiento capa a capa permiten fabricar estructuras tridimensionales complicadas y funcionales de abajo arriba. Podemos hacer crecer algunos nanopilares de heteroestructuras verticales con la parte superior plana sobre sustratos de Si(111), y hemos obtenido nanocables de Ga(In)P/GaAs/GaP de núcleo multicelular con la parte superior plana y sus estructuras de entrehierro mediante grabado húmedo selectivo. Las simulaciones indican que esta estructura de entrehierro puede alcanzar un factor Q superior a 2000. A partir de los experimentos de crecimiento de GaAs, hemos descubierto que es posible hacer crecer GaAs de zincblenda sin fallos de apilamiento después del crecimiento de nanocables de GaP. Este método permite el crecimiento de pilares con un punto cuántico y sin fallos de apilamiento. También se pueden obtener pilares planos sin eliminar los catalizadores de Au cuando se utilizan partículas pequeñas de Au.

• Materias:Biotecnología Nanotecnología Fotocatálisis Nanopartículas Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Nanotechnology Photocatalysis Nanoparticles Nanomaterials
• Palabras claves:topes planos, nanocables semiconductores compuestos v, experimentos de crecimiento gaas, crecimiento de nanocables gap, método de crecimiento de capas, grabado húmedo selectivo, pequeñas partículas au, nanopilares heteroestructurados verticales, gaas, aire
• Keywords:flat tops, v compound semiconductor nanowires, gaas growth experiments, gap nanowire growth, layer growth method, selective wet etching, small au particles, vertical heterostructure nanopillars, gaas, air