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SiO2 Nanopillars on Microscale Roughened Surface of GaN-Based Light-Emitting Diodes by SILAR-Based MethodNanopilares de SiO2 en superficies rugosas a microescala de diodos emisores de luz basados en GaN mediante el método SILAR

Resumen

En este trabajo se describen los nanopilares de SiO2 sobre una superficie rugosa a microescala en un LED basado en GaN para mejorar la eficacia de la extracción de luz. Se depositaron nanopartículas de ZnO sobre SiO2 como máscara de grabado antes del grabado ICP de SiO2 mediante el método de adsorción y reacción sucesiva de capas iónicas (SILAR), y tras el grabado se obtuvieron nanopilares de SiO2 de diferentes alturas sobre ITO/GaN microrrugoso. En comparación con un LED de GaN normal (de superficie plana), la potencia de salida del LED microrrugoso aumentó un 33%. Además, los LED propuestos con nanopilares de SiO2 en la superficie microrrugosa muestran una mejora de la potencia de salida de luz del 42,7%-49,1 a 20 mA. El aumento de la potencia de salida de la luz se atribuye principalmente a la reducción de la reflexión de Fresnel por la superficie rugosa. La altura de los nanopilares de SiO2 fue aumentando, dando lugar a una mayor rugosidad en la superficie microrrugosa de los LEDs basados en GaN.

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