Bajo campos electrónicos transversales externos y pasivación de hidrógeno, se estudia la estructura electrónica y la brecha de banda de nanoribbones de dióxido de estaño (SnO2NRs) con bordes en forma de zigzag y de silla de brazos utilizando el potencial de onda aumentada de proyector (PAW) de primeros principios con el marco de la teoría de la función de densidad (DFT). Los resultados mostraron que las estructuras electrónicas de los SnO2NRs con bordes en zigzag y en silla de brazos exhiben una naturaleza semiconductora indirecta y las brechas de banda muestran una notable reducción con el aumento de la intensidad del campo electrónico transversal externo, lo que demuestra un efecto Stark gigante. El valor del campo eléctrico crítico para los Z-SnO2NRs desnudos es menor que para los A-SnO2NRs. Además, las diferentes nanoribbons de pasivación de hidrógeno (Z-SnO2NRs-2H y A-SnO2NRs-OH) muestran diferentes brechas de banda y un efecto Stark ligeramente más débil. La brecha de banda de A-SnO2NRs-OH es obviamente mayor, mientras que la de Z-SnO2NRs-2H se reduce. Curiosamente, el Z-SnO2NRs-OH presentó la conversión de metal-semiconductor-metal bajo campos electrónicos transversales externos. Finalmente, se estudian las propiedades de transporte electrónico de los diferentes bordes SnO2NRs. Estos hallazgos proporcionan vías útiles en el diseño de nanomateriales y la ingeniería de bandas para la espintrónica.
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