Resumen

El transistor de nanotubos de carbono (CNT) de canal largo puede utilizarse para superar los efectos del alto campo eléctrico en un canal de silicio de longitud nanométrica. Cuando se reduce el campo eléctrico máximo, la puerta de un transistor de efecto de campo (FET) puede controlar el canal con una polarización de drenaje variable. Se evalúa cualitativamente el rendimiento de un dispositivo CNTFET en zigzag con la misma unidad de área que un canal de transistor de efecto de campo (MOSFET) de semiconductor de óxido metálico de silicio a nanoescala. Se estudian las características de drenaje de los modelos de CNTFET y MOSFET, así como del dispositivo CNTFET fabricado, en un amplio rango de polarizaciones de drenaje y puerta. Los resultados obtenidos muestran que los nanotubos de canal largo pueden reducir significativamente los efectos de disminución de la barrera inducida por el drenaje (DIBL) en el MOSFET de silicio, manteniendo la misma área unitaria a una mayor densidad de corriente.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:misma unidad de superficie, transistor de efecto, transistor de nanotubos de carbono de canal largo, efectos de campo eléctrico elevado, canal de silicio de longitud a nanoescala, modelos de dispositivos mosfet, mayor densidad de corriente, nanotubos de canal largo, campo eléctrico máximo, metal de silicio a nanoescala
• Keywords:same unit area, effect transistor, long channel carbon nanotube transistor, high electric field effects, nanoscale length silicon channel, mosfet device models, higher current density, long channel nanotubes, maximum electric field, nanoscale silicon metal