Resumen

Se presentan los cálculos ab initio sobre las propiedades del dopaje de intersticiales en el TiO2 rutilo y su impacto en los coeficientes de transporte. Con el dopaje de los intersticiales Zr o Ti en el TiO2, los iones Ti4 de la red adquieren el exceso de electrones y se reducen a iones Ti3 o Ti2. Sin embargo, los intersticiales de Cu no pudieron perder suficientes electrones para reducir los iones Ti4 de la red. Además, los intersticiales de Ti o Cu en el ZrO2 tampoco son capaces de promover los iones Zr4 de la red para formar los iones Zr3 o Zr2 de la red. Los altos coeficientes de transporte se observan en el TiO2 defectuoso con los intersticiales Ti o Zr como la alta concentración de los iones Ti3 o Ti2. Así pues, los intersticiales de Zr son una opción favorable para mejorar las propiedades de transporte de las memorias resistivas de acceso aleatorio basadas en TiO2.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:iones, intersticiales de cu, intersticiales de zr, red ti4, memoria resistiva de acceso aleatorio, altos coeficientes de transporte, ti2, tio2, dopaje, iones
• Keywords:ions, cu interstitials, zr interstitials, lattice ti4, resistive random access memory, high transport coefficients, ti2, tio2, doping, + ions