Resumen

Este documento reconsidera la formulación matemática del modelo de banda no parabólica convencional y propone un modelo de la masa efectiva de los electrones de la banda de conducción que incluye la no parabolicidad de la banda de conducción. Se demuestra que este modelo produce resultados realistas para una capa de Si de menos de 10 nm de espesor rodeada por una capa de SiO. La mayor parte de la discusión se centra en el sistema de electrones de baja dimensionalidad confinados con barreras aislantes. Para examinar la viabilidad de nuestra propuesta, el modelo se aplica al voltaje umbral de los FinFETs de SOI a escala nanométrica y se compara con resultados experimentales previos. Este documento también aborda un modelo de la masa efectiva de los huecos de la banda de valencia asumiendo la condición no parabólica.

• Materias:Transferencia de energía Semiconductores Amplificador de potencia Filtro de paso de banda Sistemas fotovoltaicos
• Subjects:Energy transfer Semiconductors Power amplifier Band pass filter Photovoltaic systems
• Palabras claves:Formulación matemática; Modelo de banda no parabólica; Masa efectiva; Electrones de la banda de conducción; Sistema de electrones de baja dimensionalidad; Agujeros de la banda de valencia
• Keywords:Mathematical formulation; Nonparabolic band model; Effective mass; Conduction band electrons; Low-dimensional electron system; Valence band holes