Resumen

Las películas de Si a nanoescala con espesores de 2 nm, 5 nm, 10 nm y 20 nm se depositaron mediante deposición asistida por iones de plasma (PIAD) sobre sustrato de vidrio, con el fin de investigar la etapa inicial y el mecanismo de nucleación y crecimiento de la película de Si. Se utilizó el microscopio de fuerza atómica (AFM) para investigar la topografía superficial de la película de Si depositada. Se describió el proceso inicial de nucleación y crecimiento de la película. La película continua ya se había formado cuando el espesor de la película era de 10 nm. El crecimiento de la película de Si depositada coincidió con el modo de crecimiento de Volmer-Weber.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:película de si, modo de crecimiento weber, microscopía de fuerza atómica, películas de si a nanoescala, película continua, espesor de la película, sustrato de vidrio, mecanismo de crecimiento, proceso de crecimiento, nucleación inicial
• Keywords:si film, weber growth mode, atomic force microscopy, nanoscale si films, continuous film, film thickness, glass substrate, growth mechanism, growth process, initial nucleation