Resumen

Se propone una tecnología BCD de silicio de bajo coste en lugar de la tecnología BCD SOI de alto coste para la aplicación de circuitos integrados monolíticos EL driver. Se presentan varias tecnologías clave. Se diseñó una tecnología avanzada de terminación SEJTET en lugar del aislamiento PIOS convencional para obtener una menor área de chip y proteger los HVIC de la aparición del efecto di/dt en funcionamiento PWM. Se desarrollaron nuevos dispositivos VDMOS/Resurf LDPMOS compatibles para obtener la menor R on , sp , mejorar la utilización del silicio y simplificar los pasos clave del proceso.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:tecnología avanzada de terminación sejtet, tecnología soi bcd de alto coste, tecnología silicon bcd de bajo coste, aplicación monolítica integrada el driver ics, dispositivos resurf ldpmos, varias tecnologías clave, aislamiento pios convencional, pasos clave del proceso, área de chip más pequeña, novel vdmos
• Keywords:advanced sejtet termination technology, high cost soi bcd technology, low cost silicon bcd technology, monolithic integrated el driver ics application, resurf ldpmos devices, several key technologies, conventional pios isolation, key process steps, smaller chip area, novel vdmos