Resumen

En este estudio se han investigado obleas de Si policristalino (pc-Si) tratadas con láser, fabricadas mediante aserrado de alambre de lingotes prensados en caliente y sinterizados a partir de polvo de Si. Se han sometido a irradiación láser obleas cortadas y obleas con capas finas de Si de alta calidad depositadas sobre ellas mediante haz electrónico para aclarar las tendencias típicas de las modificaciones estructurales causadas por los tratamientos láser. Además, se ha analizado la posibilidad de utilizar sustratos de Si en polvo tratados con láser para la fabricación de estructuras de Si avanzadas. Se ha establecido que (i) las obleas de Si en polvo con espesores de ~180 μm pueden refundirse total (de la cara frontal a la posterior) o parcialmente (región subsuperficial) mediante un láser de diodo y pueden aumentarse los tamaños de grano en las regiones tratadas con láser; (ii) puede fabricarse una capa superior de alta calidad mediante la cristalización de una capa adicional de a-Si depositada por evaporación de haz electrónico sobre el pc-Si; y iii) pueden formarse nanocables de silicio mediante grabado químico húmedo asistido por metal (MAWCE) de obleas pulidas de Si en polvo y obleas cortadas irradiadas con láser de potencia media, mientras que en las obleas de pc-Si cortadas se produce una texturización de la superficie, y no pueden formarse nanocables en la región sometida a una cristalización en fase líquida (LPC) causada por tratamientos con láser de alta potencia.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Energía limpia Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Clean energy Photoelectric effect
• Palabras claves:obleas, polvo de si, láser, estructuras avanzadas de si, cristalización en fase líquida, potencia láser media, polvo de si pulido, tratamientos láser potentes, capas finas de si, calidad
• Keywords:wafers, si powder, laser, advanced si structures, liquid phase crystallization, medium laser power, polished si powder, power laser treatments, thin si layers, quality