Resumen

Se depositó una estructura homojuncional de óxido de zinc (ZnO) de tipo p (Al N)-codopado y ZnO de tipo n (sin dopar) sobre un sustrato de Si (100) utilizando un sistema de cosputtering por magnetrón de radiofrecuencia (rf). Se empleó una película transparente de óxido de indio y estaño (ITO)-ZnO como electrodo de contacto óhmico con la película de ZnO de tipo n. La resistencia de contacto específica se optimizó a 2,9×10-6 Ω cm2 tras un proceso de recocido térmico rápido (RTA) a 400°C durante 5 minutos al vacío. El comportamiento de contacto óhmico entre la película metálica de Ni/Au y p-ZnO también se mejoró hasta 3,5×10-5 Ω cm2 tras el recocido a 300°C durante 3 min en ambiente de nitrógeno. La difusión interfacial de estos sistemas de contacto óhmico que condujo a la optimización de las resistencias de contacto específicas mediante el proceso RTA se investigó mediante las mediciones del perfil de profundidad de la espectroscopia de electrones Auger (AES). Las características de diodo de la estructura de homojunción p-ZnO/n-ZnO resultante, realizada con estos electrodos de contacto óhmico, se confirmaron mediante mediciones de corriente-voltaje (I-V), que arrojaron una tensión de encendido hacia delante de 1,44 V con una corriente inversa de 1,1×10-5 A a -2 V.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:óxido de indio y estaño transparente, estructura de homojunción tipo zno, espectroscopia electrónica de barrena, estructura de homojunción zno, mediciones del perfil de profundidad, sistema de cosputtering por magnetrón, comportamiento del contacto óhmico, electrodo de contacto óhmico, electrodos de contacto óhmico, sistemas de contacto óhmico
• Keywords:transparent indium tin oxide, type zno homojunction structure, auger electron spectroscopy, zno homojunction structure, depth profile measurements, magnetron cosputtering system, ohmic contact behavior, ohmic contact electrode, ohmic contact electrodes, ohmic contact systems