Resumen

El transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono (CNFET) es uno de los candidatos más prometedores para convertirse en el sucesor del CMOS de silicio en un futuro próximo debido a su mejor electrostática y mayor movilidad. El CNFET tiene muchos parámetros, como la tensión de funcionamiento, el número de tubos, el paso, el diámetro de los nanotubos, la constante dieléctrica y los materiales de contacto, que determinan el rendimiento del circuito digital. Este artículo presenta un estudio que investiga el efecto de los diferentes parámetros del CNFET sobre el rendimiento y propone una nueva metodología de diseño del CNFET para optimizar las características de rendimiento, como la capacidad de conducción de corriente, el retardo, el consumo de energía y el área para los circuitos digitales. Investigamos y explicamos conceptualmente las medidas de rendimiento en tecnologías de 32 nm para configuraciones CNFET puras, MOS-CNFET híbridas y CMOS. En nuestra metodología de diseño propuesta, el producto de retardo de potencia (PDP) del CNFET optimizado es aproximadamente un 68%, un 63% y un 79% menor que el del CNFET no optimizado, el MOS-CNFET híbrido y los circuitos CMOS, respectivamente. Por lo tanto, el diseño CNFET propuesto es un fuerte candidato para implementar circuitos digitales de alto rendimiento.

• Materias:Energía nuclear Dinámica molecular Metales Electrodos Acero Acero inoxidable
• Subjects:Nuclear energy Molecular dynamics Metals Electrodes Steel Stainless steel
• Palabras claves:cnfet, mo híbrido, circuito digital, rendimiento del circuito digital, efectos de campo de los nanotubos, diferentes parámetros del cnfet, número de tubos, metodología de diseño del cnfet, nuevo diseño del cnfet, sucesor del silicio
• Keywords:cnfet, hybrid mo, digital circuit, digital circuit performance, nanotube field effects, different cnfet parameters, number of tube, cnfet design methodology, new cnfet design, successor of silicon