Resumen

Las células solares en tándem de silicio amorfo/silicio amorfo (a-Si/a-Si) han atraído mucha atención en los últimos años, debido a su alta eficiencia y bajo coste de fabricación en comparación con las células solares a-Si de una sola unión. En este trabajo, las células en tándem se fabrican mediante deposición química en fase vapor mejorada por plasma de alta frecuencia (HF-PECVD) a 27,1 MHz. Se han investigado los efectos de la capa de recombinación y la adaptación del espesor de la capa i en el rendimiento de la célula. Los resultados muestran que la célula tándem con una capa de recombinación p y una relación de espesores i2/i1 de 6 presenta una eficiencia máxima del 9,0% con una tensión de circuito abierto (Voc) de 1,59 V, una densidad de corriente de cortocircuito (Jsc) de 7,96 mA/cm2 y un factor de llenado (FF) de 0,70. Tras la prueba de inmersión en luz, nuestra célula en tándem a-Si/a-Si con capa de recombinación p muestra una excelente estabilidad y una eficiencia estabilizada del 8,7%.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:capa de recombinación p, silicio amorfo, células solares si, célula tándem si, deposición química de vapor, relación de espesores i1, bajo coste de fabricación, rendimiento de la célula, tensión del circuito, densidad de corriente
• Keywords:p+ recombination layer, amorphous silicon, si solar cells, si tandem cell, chemical vapor deposition, i1 thickness ratio, low manufacturing cost, cell performance, circuit voltage, current density