Resumen

Se han estudiado las PERC de silicio cristalino con aberturas puntuales o lineales en la superficie posterior. Mediante la medición de los tiempos de vida de los portadores menores de las PERC con aberturas de puntos y líneas, se analizaron los efectos de pasivación de la superficie posterior con aberturas de puntos y líneas. El rendimiento afectado por las aberturas de punto y línea se analizó en detalle probando los voltajes de circuito abierto, las densidades de corriente de cortocircuito, los factores de llenado y las eficiencias de conversión de los PERC. Los resultados muestran que el espacio más amplio dio lugar a mejores tiempos de vida de los portadores menores en la superficie posterior. Y las células con un espacio de apertura de línea de 0,5 mm tuvieron una mejora media del 0,22% de la eficiencia de conversión, en comparación con las células con Al-BSF de área completa. Por otro lado, las PERC con apertura de puntos sólo mostraron una eficiencia de conversión del 17,4%, a pesar de la buena reflectividad de la superficie posterior. El mal estado de la capa de aleación Al-Si y las grandes densidades de huecos en los contactos dot Al provocaron el mal rendimiento de las PERC con apertura dot.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:aberturas de línea, punto, superficie posterior, percs, eficacia de conversión, mejores tiempos de vida de los portadores menores, buena reflectividad de la superficie posterior, percs de silicio cristalino, capa de aleación de si, grandes densidades de huecos
• Keywords:line openings, dot, rear surface, percs, conversion efficiency, better minor carrier lifetimes, good rear surface reflectivity, crystalline silicon percs, si alloy layer, large hollow densities