Resumen

Las propiedades de las películas finas semiconductoras electrodepositadas dependen de la composición del electrolito, el tiempo y la temperatura de deposición, así como de la densidad de corriente y la naturaleza del sustrato. En este estudio, se analizó mediante el método Taguchi la influencia de los parámetros de electrodeposición, como el voltaje de deposición, el tiempo de deposición, la composición de la solución y la temperatura de deposición, sobre las propiedades de las películas de In2S3. Según el análisis Taguchi, la interacción entre el voltaje de deposición y el tiempo de deposición fue significativa. El voltaje de deposición tuvo el mayor impacto sobre la estequiometría de las películas de In2S3 y la temperatura de deposición tuvo el menor impacto. Las relaciones estequiométricas entre el azufre y el indio (S/In: 3/2) obtenidas a partir de los experimentos realizados con los parámetros de electrodeposición optimizados concordaban con los valores predichos a partir del método Taguchi. Los experimentos se llevaron a cabo según el diseño de experimentos (DOE) Taguchi orthogonal array L27 (3^4). Se electrodepositaron películas de In2S3 de aproximadamente 600 nm de espesor a partir de un baño orgánico (a base de etilenglicol) que contenía cloruro de indio (InCl3), cloruro sódico (NaCl) y tiosulfato sódico (Na2S2O3-5H2O), este último utilizado como fuente adicional de azufre junto con azufre elemental (S). Para analizar las fases, la composición elemental y la morfología de las películas de In2S3 electrodepositadas se utilizaron, respectivamente, un difractómetro de rayos X (XRD), una unidad de espectroscopia de dispersión de energía de rayos X (EDS) y un microscopio electrónico de barrido (SEM).

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:películas, experimentos, método taguchi, temperatura de deposición, tiempo de deposición, tensión de deposición, parámetros de electrodeposición, fuente adicional de azufre, matriz ortogonal l27, tensión de deposición
• Keywords:films, experiments, taguchi method, deposition temperature, deposition time, deposition voltage, electrodeposition parameters, additional sulfur source, orthogonal array l27, deposition voltage