Resumen

Este trabajo trata sobre la optimización de transistores bipolares de heterounión SiGe para aplicaciones de amplificador de potencia dedicadas a comunicaciones inalámbricas. En este trabajo, investigamos el compromiso entre la tensión de ruptura BV por diversas estrategias de optimización del colector, como el grosor de la epilámina y la concentración de dopantes, y las características de SIC y CAP. Además, se propone un nuevo perfil trapezoidal de Germanio (Ge) en la base. Gracias a este perfil, se logra un control preciso del contenido de Ge en la unión metalúrgica emisor-base. Se obtiene estabilidad de ganancia para un amplio rango de temperaturas mediante la ajuste del porcentaje de Ge en la unión emisor-base. Finalmente, se realiza una investigación exhaustiva sobre la introducción de Ge en el colector (perfil de Ge en la parte posterior) con el fin de mejorar los valores beta en niveles altos de inyección.

• Materias:Filtro bicuadrático Filtros multifunción Teoría de Pao-Sah Frecuencias de transición Ondas de radiofrecuencia
• Subjects:Biquadratic filter Multifunction filters Pao-Sah theory Transition frequencies Radio frequency waves
• Palabras claves:SiGe; HBT; Amplificador de potencia; Comunicaciones inalámbricas; Perfil de GE; Estabilidad de ganancia
• Keywords:SiGe; Hbt; Power amplifier; Wireless communications; Ge profile; Gain stability