Resumen

Las neuronas cultivadas directamente sobre transistores de efecto de campo de puerta abierta resultan en un dispositivo híbrido, el neuron-FET. Los circuitos amplificadores neuron-FET reportados en la literatura emplean el transductor neuron-FET como un dispositivo de modo de corriente en conjunto con un amplificador de transimpedancia. En esta configuración, el transductor no proporciona ninguna ganancia de señal, y se requiere la caracterización del transductor fuera del circuito de amplificación. Además, el circuito requiere un esquema de polarización complejo que debe ser reajustado para compensar la deriva. Aquí presentamos una estrategia alternativa basada en el enfoque de diseño para optimizar un diseño de amplificador de fuente común de una sola etapa. El enfoque de diseño facilita la caracterización en circuito del neuron-FET y proporciona información sobre enfoques para mejorar el diseño del proceso del transistor para su aplicación como transductor neuron-FET. Los datos de simulación para un caso de prueba demuestran la optimización del diseño del transistor y un aumento significativo en

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Neurona-fet; Circuitos amplificadores; Transductor; Amplificador transimpedancia; Esquema de polarización; Amplificador de fuente común
• Keywords:Neuron-fet; Amplifier circuits; Transducer; Transimpedance amplifier; Biasing scheme; Common-source amplifier