Resumen

El oxígeno y el nitrógeno se demostraron difundir a través de la capa de TiN en los dispositivos de compuerta de metal/alta constante dieléctrica durante el PMA. Tanto el recocido con oxígeno como con nitrógeno reducirán la corriente de fuga de la compuerta sin aumentar el grosor del óxido. Las tensiones umbral de los dispositivos cambiaron con diversas condiciones de PMA. La fiabilidad de los dispositivos, especialmente para los dispositivos recocidos con oxígeno, mejoró después de los tratamientos de PMA.

• Materias:Transferencia de energía Ingeniería de apilamiento Circuito oscilador Modelo analítico Inductores
• Subjects:Energy transfer Stacking engineering Oscillator circuit Analytical model Inductors
• Palabras claves:Oxígeno; Nitrógeno; Difusión; Corriente de fuga de puerta; Voltajes de umbral; Confiabilidad
• Keywords:Oxygen; Nitrogen; Diffusion; Gate leakage current; Threshold voltages; Reliability