Resumen

El FinFET de compuerta independiente (IG) es un dispositivo prometedor en aplicaciones de circuitos debido a sus dos compuertas separadas, que pueden ser utilizadas de forma independiente. En este documento, proponemos un método integral para optimizar los dispositivos FinFET IG de Doble Umbral (DT) llevando a cabo modulaciones en la función de trabajo del electrodo de la compuerta, el grosor del óxido y el grosor del cuerpo de silicio. El nitruro de titanio (TiN) se utiliza como electrodo de compuerta de función de trabajo ajustable para obtener buenos rendimientos. Los grosores del óxido de compuerta y del cuerpo de silicio son barridos mediante simulaciones TCAD para obtener los valores apropiados. La simulación de verificación de los transistores optimizados muestra que los FinFETs IG DT pueden realizar la fusión de transistores en paralelo y en serie, respectivamente, y las características de corriente de los transistores mejoran significativamente. Al extraer los parámetros del modelo BSIM-IMG, podemos simular los

• Materias:Filtro de paso Memristancias Sistemas multicanal Interruptor bidireccional Condensadores
• Subjects:Pass filter Memristances Multichannel systems Bidirectional switch Capacitors
• Palabras claves:Propuesto; Compuerta independiente; FinFET; DT; Optimización; HSPICE
• Keywords:Proposed; Independent-gate; FinFET; DT; Optimization; HSPICE