Resumen

Las películas de In2Se3 se utilizaron como capas de siembra en la síntesis de películas de Cu(In,Ga)Se2 mediante la ruta de recubrimiento por rotación. La selenización de los precursores que contenían indio a 400°C dio lugar a la formación de γ-In2Se3 hexagonales con la orientación preferida (006). Aumentando la temperatura de selenización a 500°C se obtuvo el γ-In2Se3 con orientación (300). El uso de In2Se3 con la orientación preferente (006) como capas de siembra produjo la película de Cu(In,Ga)Se2 con la orientación preferente (112) debido a la simetría cristalina. Por el contrario, el uso de In2Se3 orientado a (300) como capas de siembra produjo películas de Cu(In,Ga)Se2 orientadas a (220/204). Según los resultados obtenidos mediante SEM y el efecto Hall, las películas de Cu(In,Ga)Se2 orientadas a (112) presentaban una morfología más densa y propiedades eléctricas más favorables. El uso de las películas de Cu(In,Ga)Se2 orientadas a (112) como capa absorbente en los dispositivos solares produjo un aumento significativo de la eficiencia de conversión.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Bioingeniería Nanoestructuras Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Bioengineering Nanostructures Nanocomposites
• Palabras claves:películas ga)se2, 112)-oriented cu(in, capas de siembra, in2se3, propiedades eléctricas favorables, película ga)se2, efecto hall, películas in2se3, capa absorbente, ruta de recubrimiento
• Keywords:ga)se2 films, 112)-oriented cu(in, seeding layers, in2se3, favorable electrical properties, ga)se2 film, hall effect, in2se3 films, absorber layer, coating route