Resumen

Estudiamos el origen de la fuerte diferencia en la resistividad de la deposición inducida por haz focalizado de electrones y haz focalizado de Ga-iones (FEBID y FIBID, respectivamente) de Pt realizada en un equipo de haz dual utilizando (CH3)3Pt(CpCH3) como gas precursor. Hemos realizado medidas de resistencia in-situ y ex-situ en ambos tipos de nanodepósitos, encontrando que la resistividad del Pt por FEBID es típicamente cuatro órdenes de magnitud mayor que la del Pt por FIBID. En el caso del Pt por FEBID, la dependencia de la corriente frente al voltaje es no lineal y el comportamiento de la resistencia frente a la temperatura es fuertemente semiconductor, mientras que el Pt por FIBID muestra una dependencia lineal de la corriente frente al voltaje y sólo una ligera dependencia de la temperatura. La microestructura, investigada mediante microscopía electrónica de transmisión de alta resolución, consiste en todos los casos en monocristales de Pt con un tamaño aproximado de 3 nm incrustados en una matriz carbonosa amorfa. Debido al carácter semiconductor de la matriz carbonosa, que es el componente principal del depósito, proponemos que los resultados de transporte pueden ser mapeados sobre los obtenidos en materiales semiconductores con diferentes grados de dopaje. Las diferentes propiedades de transporte del Pt por FEBID y FIBID se atribuyen al mayor nivel de dopado en el caso de FIBID, según se desprende de las medidas de composición obtenidas con microanálisis de rayos X por dispersión de energía.

• Materias:Análisis electroquímico Nanopartículas Nanoestructuras Nanocompuestos Sistema de nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanoparticles Nanostructures Nanocomposites Nanoparticle system Nanotubes
• Palabras claves:fibid, febid, dependencia del voltaje, microscopía electrónica de transmisión de resolución, matriz carbonosa amorfa, diferentes propiedades de transporte, equipo de doble haz, mayor nivel de dopaje, medidas de resistencia in situ, ligera dependencia de la temperatura
• Keywords:fibid, febid, voltage dependence, resolution transmission electron microscopy, amorphous carbonaceous matrix, different transport properties, dual beam equipment, higher doping level, situ resistance measurements, slight temperature dependence