Resumen

En la actualidad se ha prestado gran atención al descubrimiento de semiconductores y cocatalizadores competentes para su eventual aplicación al sistema fotoelectroquímico de separación de agua. Se preparó un semiconductor BiVO4 dopado con W-Mo mediante el método de descomposición térmica asistida por surfactantes sobre una película conductora de óxido de estaño dopado con flúor. Las películas de BiVO4 dopadas con W-Mo mostraron una morfología porosa con tamaños de grano de unos 270 nm. Dado que la longitud de difusión de agujeros del BiVO4 es de unos 100 nm, la película de BiVO4 dopada con W-Mo de este estudio es una candidata ideal para la oxidación fotoelectroquímica del agua. El electrocatalizador oxihidróxido de hierro (FeOOH) se depositó químicamente sobre el BiVO4 dopado con W-Mo para investigar el efecto del electrocatalizador sobre el semiconductor. El electrodo compuesto de BiVO4 dopado con W-Mo y FeOOH mostró una mayor actividad que el electrodo prístino de BiVO4 dopado con W-Mo en la reacción de oxidación del agua. La deposición química es un método prometedor para la deposición de FeOOH sobre semiconductor.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:semiconductor, electrodo compuesto feooh, electrodo bivo4 dopado, película bivo4 dopada, películas bivo4 dopadas, semiconductor bivo4 dopado, longitud de difusión de los agujeros, método de descomposición térmica, reacción de oxidación del agua, sistema de división del agua
• Keywords:semiconductor, feooh composite electrode, doped bivo4 electrode, doped bivo4 film, doped bivo4 films, doped bivo4 semiconductor, hole diffusion length, thermal decomposition method, water oxidation reaction, water splitting system