Resumen

El Ti3SiC2 nanolaminado, una fase MAX representativa, muestra una excelente tolerancia al daño por radiación. En este trabajo, se han utilizado cálculos de primeros principios para investigar el mecanismo de los defectos puntuales intrínsecos con el fin de explicar esta extraordinaria propiedad. Se calculan y comparan las energías de formación de los defectos puntuales intrínsecos, y los resultados establecen un mecanismo de desorden de baja energía en Ti3SiC2. Además, las barreras energéticas de migración de la vacante de Si, el intersticial de Si y la antisita de TiSi arrojan valores muy bajos: 0,9, 0,6 y 0,3 eV, respectivamente. La intercalación del plano atómico de Si entre las estructuras nanotwinning de Ti3C2 domina la formación y migración de defectos puntuales nativos intrínsecos en Ti3SiC2. El presente estudio también pone de relieve un método novedoso para mejorar la tolerancia al daño por radiación mediante el desarrollo de una estructura en capas a nanoescala que puede servir como sumidero o canal de recuperación rápida de los defectos puntuales.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:defectos puntuales intrínsecos, defectos puntuales intrínsecos nativos, estructuras nanotwinning ti3c2, mecanismo de desorden energético, barreras energéticas de migración, tolerancia al daño por radiación, canal de recuperación rápida, fase máxima representativa, ti3sic2, energías de formación
• Keywords:intrinsic point defects, intrinsic native point defects, ti3c2 nanotwinning structures, energy disorder mechanism, migration energy barriers, radiation damage tolerance, rapid recovery channel, representative max phase, ti3sic2, formation energies