Resumen

Este trabajo describe la cristalización inducida por estaño del silicio amorfo estudiada con espectroscopia Raman en estructuras de película delgada Si-Sn-Si irradiadas con luz láser pulsada. Hemos encontrado y analizado las dependencias del tamaño y concentración de los nanocristales con la intensidad del pulso láser para pulsos láser de 10 ns y 150 μm de duración a las longitudes de onda de 535 nm y 1070 nm. Se demostró la transformación eficiente del silicio amorfo en una fase cristalina durante el intervalo de tiempo de 10 ns del pulso láser actuante en las películas de 200 nm de espesor del silicio amorfo. Los resultados se analizaron teóricamente modelando la distribución espacial y temporal de la temperatura en la muestra de silicio amorfo dentro de la ubicación del punto láser. Las simulaciones confirmaron la importancia de la profundidad de absorción de la luz (longitud de onda de irradiación) en la formación y evolución del perfil de temperatura que afecta a los procesos de cristalización en las estructuras irradiadas.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:silicio amorfo, pulsos láser de μm de duración, muestra de silicio amorfo, estructuras de película si, intensidad del pulso láser, localización del punto láser, profundidad de absorción de la luz, películas de nm de espesor, intervalo de tiempo ns, luz láser pulsada.
• Keywords:amorphous silicon, μm duration laser pulses, amorphous silicon sample, film structures si, laser pulse intensity, laser spot location, light absorption depth, nm thickness films, ns time interval, pulsed laser light