Resumen

Se caracterizó el rendimiento de células solares de silicio negro con diversas películas de pasivación. Se preparó silicio negro de gran superficie ( 156 × 156 mm2) mediante grabado asistido por nanopartículas de plata sobre oblea de silicio piramidal. La eficiencia de conversión de la célula solar de silicio negro sin pasivación es del 13,8%. Con la pasivación SiO2 y SiN x :H, la eficiencia de conversión de las células solares de silicio negro aumenta hasta el 16,1 y 16,5%, respectivamente. En comparación con la película única de pasivación superficial de las células solares de silicio negro, las pilas de SiO2/ SiN x :H presentan la mayor eficiencia, del 17,1%. La investigación de la eficiencia cuántica interna (IQE) sugiere que las películas apiladas SiO2/ SiN x :H disminuyen la recombinación Auger mediante la reducción de la concentración de dopaje superficial y la densidad de estado superficial de la interfaz Si/SiO2, y la capa SiN x :H suprime la recombinación Shockley-Read-Hall (SRH) en la célula solar de silicio negro, lo que produce el mejor rendimiento eléctrico de las células solares b-Si.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:silicio negro, células solares, eficiencia de conversión, célula solar, células solares si, mejor rendimiento eléctrico, eficiencia cuántica interna, oblea de silicio piramidal, concentración de dopaje superficial, densidad de estado superficial
• Keywords:black silicon, solar cells, conversion efficiency, solar cell, si solar cells, best electrical performance, internal quantum efficiency, pyramidal silicon wafer, surface doping concentration, surface state density