Resumen

Para medir el tiempo de vida del portador minoritario se utiliza el método de caracterización MW-PCD, en el que el resultado de la medición es el tiempo de vida efectivo del portador, que depende en gran medida de la velocidad de recombinación de la superficie y, por tanto, de la calidad de la pasivación de la superficie de silicio. En este trabajo se examinan distintos tipos de soluciones para la pasivación química de una superficie de silicio. Se prueban varias soluciones en obleas de silicio para su consiguiente comparación. El objetivo principal es encontrar la solución óptima, que se adapte a los requisitos de estabilidad temporal y velocidad de arranque de la pasivación, reproducibilidad de las mediciones y posibilidad de una limpieza perfecta de los restos de solución pasivante de una superficie de silicio, de modo que los parámetros de una oblea de silicio medida no empeoren y no haya contaminación de las demás series de obleas en la producción tras un retorno repetitivo de la oblea medida al proceso de producción. El propio proceso de limpieza también es objeto de un desarrollo.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:superficie de silicio, método de caracterización mw, diferentes tipos de solución, vida útil efectiva del portador, portador minoritario bulk, otras series de obleas, pasivación de la superficie de silicio, velocidad de recombinación de la superficie, medición, diferentes soluciones
• Keywords:silicon surface, characterization method mw, different solution types, effective carrier lifetime, minority carrier bulk, other wafers series, silicon surface passivation, surface recombination velocity, measurement, various solutions