Resumen

Se utilizó la deposición de capas atómicas, un método de excelente cobertura escalonada y deposición conforme, para depositar películas finas de TiO2 para la pasivación superficial y el recubrimiento antirreflectante de células solares de silicio. Las películas delgadas de TiO2 depositadas a diferentes temperaturas (200°C, 300°C, 400°C y 500°C) sobre obleas de silicio tipo n FZ tienen un grosor de 66,4 nm ± 1,1 nm y se presentan en forma de crecimiento autolimitado. En cuanto a las propiedades de pasivación superficial, la superficie de Si se pasiva eficazmente mediante la película fina de TiO2 depositada a 200°C. Su tiempo de vida efectivo del portador minoritario, medido por el método de decaimiento de la fotoconductancia, se mejora 133 a un nivel de inyección de 1×1015 cm-3. Dependiendo de diferentes parámetros de deposición y procesos de recocido, podemos controlar la cristalinidad del TiO2 y encontrar una fase de TiO2 de baja temperatura (anatasa) con mejor rendimiento de pasivación que la de alta temperatura (rutilo), lo que concuerda con los resultados de la función de trabajo medida por sonda Kelvin. Además, las películas finas de TiO2 sobre oblea de Si pulida sirven como buenas capas ARC con un índice de refracción entre 2,13 y 2,44 a 632,8 nm. La reflectancia media ponderada a AM1,5G se reduce más de la mitad tras la deposición de TiO2. Por último, la pasivación superficial y las propiedades antirreflectantes del TiO2 son estables tras el proceso de cocción de las células solares de Si cristalino convencionales.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:tio2, pasivación superficial, películas delgadas, células solares, tiempo de vida efectivo de portador minoritario, servicio de oblea si pulida, deposición de capa atómica, c deposición tio2, reflectancia media ponderada, mejor rendimiento de pasivación
• Keywords:tio2, surface passivation, thin films, solar cells, effective minority carrier lifetime, polished si wafer serve, atomic layer deposition, c deposition tio2, weighted average reflectance, better passivation performance