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Artículo

Laser Enhanced Hydrogen Passivation of Silicon WafersPasivado de obleas de silicio con hidrógeno potenciado por láser

Resumen

Se estudia la aplicación del láser para posibilitar procesos avanzados de hidrogenación con control del estado de carga. La hidrogenación localizada se consigue mediante el uso de láseres para lograr la iluminación y el calentamiento localizados del material de silicio y, por tanto, controlar espacialmente el proceso de hidrogenación. Se confirman las mejoras en la vida útil de los portadores minoritarios en las regiones hidrogenadas por láser mediante imágenes de fotoluminiscencia (PL). Sin embargo, con una configuración inadecuada del láser, puede producirse una reducción localizada del tiempo de vida de los portadores minoritarios. Se observa que las altas intensidades de iluminación y el enfriamiento rápido son beneficiosos para conseguir mejoras en los tiempos de vida de los portadores minoritarios mediante la hidrogenación por láser. El proceso de hidrogenación láser se aplica a células solares serigrafiadas fabricadas sobre obleas de silicio cuasi monocristalino. La pasivación de las agrupaciones de dislocaciones se observa con claras mejoras en la eficiencia cuántica, el voltaje de circuito abierto y la densidad de corriente de cortocircuito, lo que conduce a una mejora de la eficiencia de 0,6 bsoluto.

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Información del documento

  • Titulo:Laser Enhanced Hydrogen Passivation of Silicon Wafers
  • Autor:Lihui, Song; Alison, Wenham; Sisi, Wang; Phillip, Hamer; Mohammad Shakil, Ahmmed; Brett, Hallam; Ly, Mai; Malcolm, Abbott; Evatt R., Hawkes; CheeMun, Chong; Stuart, Wenham
  • Tipo:Artículo
  • Año:2015
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
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