Resumen

El proceso de pasivación es de gran importancia para producir células solares de silicio negro de alta eficiencia debido a su microestructura única. El silicio negro se ha producido mediante un proceso de implantación iónica por inmersión en plasma (PIII). Y las películas de nitruro de silicio se depositaron mediante deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) para utilizarlas como capa de pasivación de la célula solar de silicio negro. La microestructura y las propiedades físicas de las películas de nitruro de silicio se caracterizaron mediante microscopio electrónico de barrido (SEM), espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR), elipsometría espectroscópica y el método de decaimiento de fotoconductancia por microondas (μ-PCD). Con la optimización de los parámetros de PECVD, la eficiencia de conversión de la célula solar de silicio negro puede alcanzar hasta un 16,25%.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:silicio negro, célula solar, implantación iónica por inmersión en plasma, películas de nitruro de silicio, deposición química de vapor, decaimiento de la fotoconductancia por microondas, películas de nitruro de silicio, parámetros pecvd, eficiencia de conversión, microscopio electrónico
• Keywords:black silicon, solar cell, plasma immersion ion implantation, silicon nitride films, chemical vapor deposition, microwave photoconductance decay, silicon nitride films, pecvd parameters, conversion efficiency, electron microscope