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Indium-Nitrogen Codoped Zinc Oxide Thin Film Deposited by Ultrasonic Spray Pyrolysis on n-(111) Si Substrate: The Effect of Film ThicknessPelícula delgada de óxido de zinc codopado con indio-nitrógeno depositada por pirólisis de pulverización ultrasónica sobre sustrato de n-(111) Si: Efecto del espesor de la película

Resumen

Se fabricaron películas delgadas de óxido de zinc codopado con indio-nitrógeno (INZO) mediante la técnica de deposición por pulverización pirolítica sobre sustrato de n-(111) Si con diferentes espesores de película a 450°C utilizando un precursor que contenía acetato de zinc, acetato de amonio y nitrato de indio con 1 :3 :0,05 a. oncentración. Los estudios de morfología y estructura se llevaron a cabo mediante microscopía electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X (XRD). El tamaño de grano de las películas aumentó al aumentar el espesor de la película. A partir de los espectros de DRX, se puede observar la estructura policristalina del ZnO y el comportamiento de orientación preferente varió de (002) a (101) al aumentar el espesor de la película. La concentración y la movilidad se investigaron mediante la medición del efecto Hall. Las películas de tipo p con una movilidad de huecos de unos 3 cm2V-1s-1 y una concentración de huecos de unos 3×1019 cm-3 pueden conseguirse con espesores de película inferiores a 385 nm. La conducción de tipo n con una concentración de 1×1020 cm-3 se observa para películas con un espesor de 1089 nm. Los estados defectuosos se caracterizaron mediante fotoluminiscencia. Con el análisis de la conductividad en función de la temperatura, el estado aceptor con una energía de activación de 0,139 eV domina la conducción de tipo p para la película delgada INZO. Y los donantes poco profundos relacionados con el Zn, con una energía de activación de 0,029 eV, dominan la conducción de tipo n en la película INZO gruesa.

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