Resumen

Hemos optimizado las condiciones de deposición de películas amorfas de silicio-germanio con nanocristales incrustados en un reactor de deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD), trabajando a una frecuencia estándar de 13,56 MHz. El objetivo era producir películas con un Coeficiente de Resistencia a la Temperatura (TCR) muy grande, que es una firma de la sensibilidad en los detectores térmicos (microbolómetros). Se realizaron caracterizaciones morfológicas, eléctricas y ópticas en las películas, y encontramos condiciones óptimas para obtener películas con valores muy altos de coeficiente térmico de resistencia (TCR = 7,9% K-1). Nuestros resultados demuestran que las películas amorfas de silicio-germanio con nanocristales embebidos pueden utilizarse como películas termosensibles en matrices de plano focal infrarrojo (IRFPAs) de alto rendimiento utilizadas en cámaras térmicas comerciales.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites
• Palabras claves:películas, silicio amorfo, películas de germanio, conjuntos de plano focal infrarrojo, deposición química de vapor, cámaras térmicas comerciales, gran coeficiente de temperatura, tcr, nanocristales, condiciones de deposición
• Keywords:films, amorphous silicon, germanium films, infrared focal plane arrays, chemical vapor deposition, commercial thermal cameras, large temperature coefficient, tcr, nanocrystals, deposition conditions