Resumen

Se depositan películas compuestas de dióxido de silicio y dióxido de titanio (SiO2-TiO2) sobre una gran superficie de células solares de silicio multicristalino texturizado de 15,6 × 15,6 cm2 para aumentar la luz incidente atrapada en el dispositivo. Para mejorar aún más la calidad de los revestimientos antirreflectantes (ARC), se añade una solución de dimetilformamida (DMF) a las soluciones originales de SiO2-TiO2. La solución de DMF resuelve el problema del agrietamiento, con lo que disminuye eficazmente la reflectancia, así como la recombinación superficial. Se comparan los ARC preparados mediante el proceso sol-gel y la deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD) sobre sustrato de silicio multicristalino. La eficiencia media de los dispositivos con ARCs sol-gel mejorados es del 16,3%, sólo un 0,5% inferior a la de los dispositivos con ARCs PECVD (16,8%). Sin embargo, desde el punto de vista de la depreciación de los equipos (la fecha de caducidad de los equipos se considera generalmente de 5 años), el coste de funcionamiento (USD/vatio) de la técnica sol-gel es un 80% inferior al del método PECVD durante los cinco primeros años y un 66% inferior al del método PECVD a partir del inicio del sexto año. Este resultado demuestra que el proceso ARC depositado por sol-gel tiene aplicaciones potenciales en la fabricación de células solares de bajo coste y gran superficie.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:sol, método pecvd, células solares, cm2 de silicio multicristalino texturizado, dióxido de silicio compuesto, deposición química de vapor, punto de depreciación del equipo, sustrato de silicio multicristalino, arcos, coste
• Keywords:sol, pecvd method, solar cells, cm2 textured multicrystalline silicon, composite silicon dioxide, chemical vapor deposition, equipment depreciation point, multicrystalline silicon substrate, arcs, cost