En este estudio se produjeron películas de óxido de grafeno y óxido de grafeno reducido química o térmicamente mediante un sencillo método de filtración al vacío y se sometieron a una caracterización exhaustiva mediante difracción de rayos X (DRX), espectroscopias Raman e infrarroja, microscopía electrónica de barrido de emisión de campo, microscopía electrónica de transmisión, microscopía de fuerza atómica, microscopía confocal y mediciones del ángulo de contacto. El óxido de grafeno (GO) se produjo a partir de grafito por el método Hummers modificado y posteriormente se redujo con NaBH4 o por calentamiento bajo argón en un horno tubular. Las películas se produjeron a partir de soluciones acuosas mediante filtración al vacío sobre una membrana de celulosa. El grafito presenta dos picos característicos de DRX correspondientes a d=0,34 nm y d=0,17 nm. Tras la oxidación, sólo se encuentra un pico a d=0,84 nm para el GO en polvo, lo que confirma la inserción de grupos de oxígeno con un aumento de la distancia interplanar de las nanoplaquetas de grafeno. Sin embargo, en las películas de GO se observan otros picos inesperados en d=0,63 nm, d=0,52 nm y d=0,48 nm. Tras la reducción, tanto química como térmica, el pico a 0,84 nm desaparece, mientras que los correspondientes a las distancias interplanares de 0,63 nm, 0,52 nm y 0,48 nm siguen presentes. Las demás caracterizaciones confirman la producción y la composición química de las películas de GO y GO reducido. Los resultados indican la combinación de regiones cristalinas con diferentes distancias interplanares, lo que sugiere el ordenamiento de las láminas intercaladas de grafeno/óxido de grafeno.
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