Resumen

Fabricamos las películas delgadas cristalizadas de InGaZnO mediante el proceso sol-gel y el recocido a alta temperatura a 900°C. Antes de la deposición del InGaZnO, también se recubrieron capas tampón de ZnO mediante un proceso sol-gel, seguido de un recocido térmico. Tras la síntesis y el recocido del InGaZnO, la película delgada de InGaZnO sobre la capa tampón de ZnO con orientación preferente mostró patrones de difracción periódicos en la difracción de rayos X, dando lugar a una estructura superred. Esta película estaba formada por granos de tamaño nanométrico con dos fases de InGaO3(ZnO)1 e InGaO3(ZnO)2 en el policristal de InGaZnO. Por otra parte, el uso de una capa tampón de ZnO sin ZnO y orientada aleatoriamente indujo la ausencia de los patrones relacionados con el cristal InGaZnO. Esto indica que el tampón de ZnO con alta orientación preferente en el eje c redujo la temperatura crítica para la cristalización del InGaZnO estratificado. Las películas delgadas de InGaZnO formadas con granos de tamaño nanométrico de la superred bifásica InGaO3(ZnO)m mostraron una conductividad térmica considerablemente baja (1,14 Wm-1 K-1 a 325 K) debido a la dispersión de fonones desde los límites de los granos, así como desde las interfaces en el grano de la superred.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:capa tampón de zno, ingazno, tampón de zno, proceso de gel, granos de tamaño nanométrico, orientación preferente, película fina de ingazno, películas finas de ingazno, capas tampón de zno, baja conductividad térmica
• Keywords:zno buffer layer, ingazno, zno buffer, gel process, nanosized grains, preferred orientation, ingazno thin film, ingazno thin films, zno buffer layers, low thermal conductivity