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Artículo

Polysilsesquioxanes for Gate-Insulating Materials of Organic Thin-Film TransistorsPolisilsesquioxanos para materiales aislantes de puertas de transistores orgánicos de capa fina

Resumen

Los transistores orgánicos de película fina imprimibles (O-TFT) son uno de los problemas técnicos más reconocidos en la actualidad. En este artículo presentamos nuestros últimos avances en la formación de películas delgadas híbridas orgánico-inorgánicas compuestas de polimetilsilsesquioxano (PMSQ) y sus aplicaciones para la capa aislante de la puerta de los O-TFT. La PMSQ sintetizada en solución de tolueno con catalizador de ácido fórmico mostró una resistividad eléctrica superior a 1014 Ω cm tras el tratamiento térmico a 150°C, y se confirmó la muy baja concentración de grupos silanol residuales en la PMSQ. La película de PMSQ no contiene impurezas iónicas móviles, y esto también es una propiedad importante para el uso práctico para los materiales aislantes de compuertas. En el caso de los TFT de contacto superior que utilizan poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) con una capa aislante de compuerta de PMSQ, las propiedades del dispositivo fueron comparables a las de los TFT con una capa aislante de compuerta de SiO2 cultivada térmicamente. Se ha demostrado la viabilidad de la PMSQ como material aislante de puerta para los O-TFT, que se fabricaron sobre un sustrato de plástico flexible. Por otra parte, mediante la modificación de PMSQ, otras funcionalidades, tales como hidrofobicidad superficial, alta permitividad que permite bajo voltaje de conducción, y fotocurabilidad que permite la fotolitografía, se podrían añadir a las capas aislantes de puerta PMSQ.

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